Siliziumkarbid (SiC) ist elektrisch leitend, seine Leitfähigkeit kann jedoch je nach Dotierung und der spezifischen Form von SiC variieren. SiC ist ein Halbleiter, was bedeutet, dass seine elektrische Leitfähigkeit durch das Einbringen von Verunreinigungen (Dotierung) in seine Kristallstruktur gesteuert werden kann.
Es gibt verschiedene Arten von SiC-Kristallen, beispielsweise n-Typ und p-Typ:
SiC vom N-Typ: Durch die Dotierung mit Elementen wie Phosphor oder Stickstoff werden zusätzliche Elektronen eingeführt, wodurch die Leitfähigkeit erhöht wird.
SiC vom P-Typ: Durch die Dotierung mit Elementen wie Aluminium oder Bor können „Löcher“ (positive Ladungsträger) entstehen, die ebenfalls zur elektrischen Leitfähigkeit beitragen.
