1200er-Körnung Siliziumkarbid
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1200er-Körnung Siliziumkarbid

In der Elektroindustrie kann Siliziumkarbid mit 1200er-Körnung als Ableiterventilkörper, elektrische Silizium-Kohlenstoff-Heizelemente, Ferninfrarotgeneratoren usw. verwendet werden.
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Produkteinführung

Beschreibung des Siliziumkarbid-Nanopulvers

 

Spezifikationen für Siliziumkarbid-Körnung

Maschenweite

Durchschnittliche Partikelgröße (je kleiner die Maschenzahl, desto gröber die Körnung)

8Netz

45 % 8 Maschen (2,3 mm) oder größer

10Maschen

45 % 10 Maschen (2,0 mm) oder größer

12Maschen

45 % 12 Maschen (1,7 mm) oder größer

14Masche

45 % 14 Maschen (1,4 mm) oder größer

16Maschen

45 % 16 Maschen (1,2 mm) oder größer

20 Maschen

70 % 20 Maschen (0,85 mm) oder größer

22Maschen

45 % 20 Maschen (0,85 mm) oder größer

24 Maschen

45 % 25 Maschen (0,7 mm) oder größer

30 Maschen

45 % 30 Maschen (0,56 mm) oder größer

36Maschen

45 % 35 Maschen (0,48 mm) oder größer

40 Maschen

45 % 40 Maschen (0,42 mm) oder größer

46Maschen

40 % 45 Maschen (0,35 mm) oder größer

54Maschenware

40 % 50 Maschen (0,33 mm) oder größer

60 Maschen

40 % 60 Maschen (0,25 mm) oder größer

70 Maschen

40 % 70 Maschen (0,21 mm) oder größer

80 Maschen

40 % 80 Maschen (0,17 mm) oder größer

90 Maschen

40 % 100 Maschen (0,15 mm) oder größer

100 Maschen

40 % 120 Maschen (0,12 mm) oder größer

120 Maschen

40 % 140 Maschen (0,10 mm) oder größer

150 Maschen

40 % 200 Maschen (0,08 mm) oder größer

180 Maschen

40 % 230 Maschen (0,06 mm) oder größer

220 Maschen

40 % 270 Maschen (0,046 mm) oder größer

240 Maschen

38 % 325 Maschen (0,037 mm) oder größer

280 Maschen

Median: 33.0-36.0 Mikron

320 Maschen

Median: 26,3-29,2 Mikron

360 Maschen

Median: 20,1-23,1 Mikron

400 Maschen

Median: 15,5-17,5 Mikron

500Mesh

Median: 11,3-13,3 Mikron

600 Maschen

Median: 8.0-10.0 Mikron

800 Maschen

Median: 5,3-7,3 Mikron

1000 Maschen

Median: 3,7-5,3 Mikron

1200 Maschen

Median: 2,6-3,6 Mikron

 

 

In der Elektronikindustrie werden beispielsweise große intakte Siliziumkarbid-Einkristalle in industriellen Siliziumkarbidöfen oder auf Industrieöfen mit speziellen Verfahren gezüchtet. Hochreine Siliziumkarbidkristalle sind Materialien zur Herstellung strahlungsresistenter Hochtemperaturhalbleiter. Siliziumkarbid ist eines der wenigen Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke und zwei Leitfähigkeitstypen, P und n.

In der Luft- und Raumfahrtindustrie werden Gasfilter und Brennkammerdüsen aus Siliziumkarbid in der Raketentechnik eingesetzt. Siliziumkarbidfasern, die industriell hergestellt werden, sind ein neuartiges hochfestes Material mit hohem Elastizitätsmodul, ausgezeichneter Hitzebeständigkeit und Oxidationsbeständigkeit sowie guter Kompatibilität mit Metallen und Harzen. Die Betriebstemperatur kann 1200 Grad erreichen und die Festigkeitserhaltungsrate bei hohen Temperaturen kann mehr als 80 % erreichen. Es kann zur Herstellung von Hitzeschutzmaterialien, hochtemperaturbeständigen Förderbändern, Filtertüchern zum Filtern von Hochtemperaturgasen oder geschmolzenen Metallen verwendet werden und kann auch mit Kohlenstofffasern oder Glasfasern kombiniert als Verstärkungsmaterial zur Verstärkung von Metallen und Keramiken verwendet werden.

In der Kohlenstoffindustrie wird Siliziumkarbid zur Herstellung von Steinen für Hochöfen zur Eisenerzeugung verwendet, beispielsweise Graphit-Siliziumkarbid, mit Siliziumnitrid kombinierte Siliziumkarbid-Steine ​​usw.

 

Hersteller von Nano-Siliziumkarbidpulver

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Lieferant von schwarzem Siliziumkarbidpulver mit feiner Körnung

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Hersteller von schwarzem Siliziumkarbid-Sandstrahlpulver

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Häufig gestellte Fragen

 

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F: Können Sie kostenlose Proben von Siliziumkarbid der Körnung 1200 liefern?

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F: Wann können Sie die Waren liefern?

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