Grobes SiC Beschreibung

Aufgrund seiner Hochtemperaturbeständigkeit, hohen Elektronensättigungsdriftgeschwindigkeit, hohen Durchschlagspannung, niedrigen Widerstands und anderer Eigenschaften gilt Siliziumkarbid als ideale Wahl für Leistungsgeräte der nächsten Generation, Hochfrequenzgeräte und Anwendungen in Hochtemperatur- und Hochspannungsumgebungen. Es gilt als das dritte und wichtigste der drei Generationen von Halbleitermaterialien.

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Grobes SiliziumkarbidkornSpezifikation

China Grobe Siliziumkarbid-Körnung Hersteller--ZhenAn Group

Schwarzes SiliziumkarbidkornHersteller-ZhenAn International

Lieferant von grünem Siliziumkarbid-Splitter - ZhenAn International

Leistung bei hohen Temperaturen:Siliziumkarbid weist eine ausgezeichnete Hochtemperaturleistung auf und kann bei Temperaturen bis zu 600 Grad Celsius und sogar noch höher eingesetzt werden. Im Vergleich dazu kann die Betriebstemperatur herkömmlicher Siliziummaterialien im Allgemeinen nur etwa 150 Grad Celsius erreichen. Dadurch ist Siliziumkarbid in Hochtemperaturumgebungen gut leistungsfähig und hat das Potenzial für eine breite Anwendung in Bereichen wie der Automobilelektrifizierung und der Luft- und Raumfahrt.

Hohe Elektronensättigungsdriftgeschwindigkeit:Siliziumkarbid hat eine hohe Elektronensättigungsdriftgeschwindigkeit, was bedeutet, dass sich Elektronen unter Bedingungen eines hohen elektrischen Felds schnell innerhalb des Materials bewegen können, was eine höhere Elektronenmobilität und höhere Schaltfrequenz ermöglicht. Dies macht Siliziumkarbid hervorragend für Leistungsgeräte wie Stromrichter, Hochfrequenzschalter und andere Bereiche geeignet.

Hohe elektrische Durchschlagsfeldstärke:Die Durchschlagsfeldstärke von Siliziumkarbid ist um ein Vielfaches höher als die von Silizium, weshalb es sich hervorragend für Hochspannungsanwendungen wie Hochspannungsstromversorgungen, Stromübertragung und -verteilung usw. eignet. Es hat Potenzial.

Niedriger Widerstand und hohe Durchbruchspannung:Siliziumkarbid hat einen geringeren Widerstand, was bedeutet, dass es bei gleicher Größe mehr Strom verarbeiten kann. Darüber hinaus haben Siliziumkarbid-Geräte aufgrund der hohen Durchschlagsspannung Vorteile bei Hochspannungsanwendungen.

Hochfrequenzleistung:Siliziumkarbid verfügt über eine hohe Elektronenbeweglichkeit und eine hohe Sättigungsdriftgeschwindigkeit des elektrischen Felds, was ihm potenzielle Vorteile bei Hochfrequenzanwendungen wie Hochfrequenz-Leistungsverstärkern und drahtloser Kommunikationsausrüstung verschafft.

Strahlungsbeständigkeit:Siliziumkarbid weist eine bessere Strahlungsbeständigkeit als Silizium auf und ist daher möglicherweise für den Einsatz in Umgebungen mit hoher Strahlung, wie etwa in Kernkraftwerken und der Raumfahrt, geeignet.

46 70 Fotos vom Kundenbesuch mit Siliziumkarbid-Granulat

Häufig gestellte Fragen

F: Wie können Sie Ihre Qualität kontrollieren?

A: Für jeden Produktionsvorgang verfügt ZhenAn über ein vollständiges Qualitätskontrollsystem für die chemische Zusammensetzung und die physikalischen Eigenschaften. Nach der Produktion werden alle Waren getestet und das Qualitätszertifikat wird zusammen mit den Waren versandt.

F: Sind Sie Hersteller oder Händler?

A: Beides. Wir können nicht nur qualitativ hochwertige Produkte zum besten Preis anbieten, sondern auch den besten Vorverkaufs- und Nachverkaufsservice bieten.

F: Stellen Sie kostenlose Proben von grobem Siliziumkarbid zur Verfügung?

A: Natürlich sind kostenlose Proben erhältlich.

F: Wie lang ist Ihre Vorlaufzeit?

A: Normalerweise dauert es etwa 15- 20 Tage nach Erhalt der Bestellung.

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