Massives SiC

Beschreibung der Siliziumkarbid-Medien

Siliziumkarbid ist ein Halbleitermaterial der dritten Generation. Im Vergleich zu gewöhnlichen Siliziummaterialien weist Siliziumkarbid ganz hervorragende Vorteile auf. Es überwindet nicht nur einige der Mängel gewöhnlicher Siliziummaterialien, sondern weist auch eine sehr gute Leistung beim Stromverbrauch auf.

Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Aluminiumnitrid (ALN), Galliumoxid (Ga2O3) usw. werden zusammenfassend als Halbleitermaterialien mit großem Bandabstand bezeichnet, da die Bandabstandsbreite größer als 2,2 eV ist, und werden in China auch als Halbleitermaterial der dritten Generation bezeichnet.

Wenn Sie an unseren Produkten interessiert sind, kontaktieren Sie uns jetzt! Wir können unsere Produkte nach Kundenwunsch anpassen!

Grobes SiliziumkarbidSpezifikation

China Hersteller von grobem Siliziumkarbid--ZhenAn Group

Hersteller von Siliziumkarbid 80er Körnung - ZhenAn International

Lieferant von Siliziumkarbid mit Körnung 80 - ZhenAn International

Elektrische Leistungsvorteile von Siliziumkarbid-Leistungsbauelementen:

1. Hohe Spannungsfestigkeit: Das kritische elektrische Durchschlagsfeld beträgt bis zu 2 MV/cm (4H-SiC), daher weist es eine höhere Spannungsfestigkeit auf (10-mal so hoch wie Si).

2. Einfache Wärmeableitung: Aufgrund der hohen Wärmeleitfähigkeit von SiC-Material (dreimal so hoch wie Si) ist die Wärmeableitung einfacher und das Gerät kann bei höheren Umgebungstemperaturen betrieben werden. Theoretisch können SiC-Leistungsgeräte bei einer Sperrschichttemperatur von 175 Grad betrieben werden, sodass die Größe des Kühlkörpers erheblich reduziert werden kann.

3. Geringe Leitungs- und Schaltverluste: SiC-Material hat die doppelte Elektronensättigungsgeschwindigkeit von Si, wodurch SiC-Geräte einen extrem niedrigen Leitungswiderstand (1/100 als Si) und geringe Leitungsverluste aufweisen; SiC-Material hat die 3-fache Bandlückenbreite von Si, sodass der Leckstrom um mehrere Größenordnungen kleiner ist als bei Si-Geräten, was den Leistungsverlust von Leistungsgeräten reduzieren kann; während des Ausschaltvorgangs tritt kein Stromschwanzphänomen auf und der Schaltverlust ist gering, was die Schaltfrequenz in praktischen Anwendungen erheblich erhöhen kann (10-mal so hoch wie bei Si).

4. Die Größe des Leistungsmoduls kann reduziert werden: Aufgrund der hohen Stromdichte des Geräts (Infineon-Produkte können beispielsweise 700 A/cm erreichen) ist die Paketgröße des vollständigen SiC-Leistungsmoduls (SiC-MOSFETsSiC SBD) bei gleichem Leistungsniveau erheblich kleiner als die des Si-IGBT-Leistungsmoduls.

60 90 Grit Siliziumkarbid Kundenbesuchsfotos

Häufig gestellte Fragen

F: Wie können Sie Ihre Qualität kontrollieren?

A: Für jeden Produktionsvorgang verfügt ZhenAn über ein vollständiges Qualitätskontrollsystem für die chemische Zusammensetzung und die physikalischen Eigenschaften. Nach der Produktion werden alle Waren getestet und das Qualitätszertifikat wird zusammen mit den Waren versandt.

F: Sind Sie Hersteller oder Händler?

A: Beides. Wir können nicht nur qualitativ hochwertige Produkte zum besten Preis anbieten, sondern auch den besten Vorverkaufs- und Nachverkaufsservice bieten.

F: Stellen Sie kostenlose Proben von massivem SiC zur Verfügung?

A: Natürlich sind kostenlose Proben erhältlich.

F: Wie lang ist Ihre Vorlaufzeit?

A: Normalerweise dauert es etwa 15- 20 Tage nach Erhalt der Bestellung.

Beliebte label: Festes SiC, China Festes SiC Hersteller, Lieferanten, Fabrik, Mangan für den Bau, Kohlenstoffsequestrierung, Müdigkeit, dem Eisenmolybdän zu widerstehen, Graphitelektrode für die Zuverlässigkeit der Ofen, Kohlenstoffemission, Mangan zur Beförderung